【旭化成氮化鋁半導體基闆材料使用面積增至4.5倍】面嚮新一代功率半導體的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的研發取得進展，但在化合物半導體中，氮化鋁耐高電壓的指標最高，因此電力損耗最小。旭化成力爭到2027年作為基闆實現實用化……
【旭化成氮化鋁半導體基闆材料使用面積增至4.5倍】面嚮新一代功率半導體的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的研發取得進展，但在化合物半導體中，氮化鋁耐高電壓的指標最高，因此電力損耗最小。旭化成力爭到2027年作為基闆實現實用化……
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