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路透社（Reuters）于 2025 年 12 月 18 日发布了一篇重磅深度报道，披露了中国在极紫外（EUV）光刻机领域的最新进展。这篇报道被广泛视为中国半导体设备研发的一个重要里程碑。
以下是路透社报道的核心要点：
1. 研发取得重大突破：EUV 原型机诞生
* 研发成果：中国科学家在深圳的一座高度戒备的实验室中，成功制造出一台极紫外光刻机（EUV）的原型机。
* 当前状态：该原型机已于 2025 年初完成组装，目前处于测试阶段。它已成功产生波长为 13.5nm 的极紫外光（这是制造先进芯片的关键），但目前尚未生产出能够实际投入使用的芯片。
2. “曼哈顿计划”式的秘密攻关
* 核心主导：路透社将此项目形容为中国的“芯片版曼哈顿计划”。报道称，该项目由中央科技委员会主任丁薛祥负责统筹，华为在供应链协调、技术整合中扮演了核心角色。
* 人才来源：报道指出，研发团队中包括多名前阿斯麦（ASML）工程师。这些专家在隐姓埋名的情况下，通过逆向工程和自主研发，攻克了光源和机械结构等核心难题。
* 科研力量：**长春光机所（CIOMP）**在极紫外光源与光学系统的集成中发挥了关键作用。
3. 技术路径与挑战
* 核心难点：虽然中国在光源（LPP，激光等离子体技术）上取得了突破，但在高精密反射镜系统（类似于蔡司 Zeiss 的光学系统）方面仍面临巨大技术挑战。
* 零部件来源：消息人士称，为了加快进度，中方利用了从二手市场获取的旧款 ASML 机器零部件进行拆解和逆向开发。
4. 关键时间节点
* 近期目标：中国政府设定的目标是在 2028 年 之前利用该国产 EUV 原型机生产出第一批可用的先进芯片。
* 量产预期：行业分析师和知情人士预测，实现稳定量产更有可能在 2030 年 左右。尽管如此，这仍比西方专家此前预测的“至少落后十年以上”要提前了许多。
5. 行业意义
* 打破封锁：路透社评论称，这一进展证明了美国的出口管制（禁止 ASML 向中国出售 EUV 机器）反而加速了中国建立完全独立、不依赖西方技术的半导体供应链。
* 竞争态势：虽然中国目前处于原型机测试阶段，而 ASML 已迈向 High-NA EUV（高数值孔径 EUV），但中国迈过的这道坎意味着其在尖端半导体设备领域已正式“入场”。
如果您对该报道中提到的华为供应链角色或长春光机所的具体技术突破感兴趣，我可以为您详细梳理。您想深入了解哪一方面？