据彭博社报道，美国考虑最早在8月单方面阻止美光科技、SK海力士、三星电子等主要芯片存储企业向中国出售高带宽内存（HBM）芯片，涵盖HBM2和包括HBM3和HBM3E在内的更先进芯片，以及制造工具。

知情人士称，目前目前尚不清楚美国将使用什么权力来限制韩国公司。一种可能性是外国直接产品规则（FDPR）。

对HBM设备和DRAM的新限制目的在于阻止中国长鑫存储增强芯片技术。长鑫存储现在有能力生产HBM2，并已于2016年首次实现商业化。