【日本開發出EUV光刻設新技術，耗電量降至1/10】現有設備的原理是使用雷射器産生EUV，通過10個鏡子曲折反射到達晶圓，實現電路圖案的轉印。EUV的能量每經一次反射就會衰減40%，僅有1%左右的能量能夠到達晶圓。新技術只用4個反光鏡，有10%以上的能量能夠到達晶圓……
【日本開發出EUV光刻設新技術，耗電量降至1/10】現有設備的原理是使用雷射器産生EUV，通過10個鏡子曲折反射到達晶圓，實現電路圖案的轉印。EUV的能量每經一次反射就會衰減40%，僅有1%左右的能量能夠到達晶圓。新技術只用4個反光鏡，有10%以上的能量能夠到達晶圓……
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