请问A,B,C的数据是哪里来的。
我的知道的内容是: 虽然制程让部件尺寸可以做得更小，但memory不知道什么原因就是要占那么多面积，缩不了（会漏电？）。
https://www.zhihu.com/question/290382241
*另外其实隧穿一直都有发生，所以gate里栅栏的尺寸一直在十几nm左右，都是用冗余之类的手段去对抗隧穿/漏电
以下数据来自ChatGPT
A. 目前消费级存储介质的最大密度数据来自于存储制造商西部数据（Western Digital）的官方网站。他们在介绍自己的 14TB 硬盘时提到了这个数字。
B. IBM 研究人员在单个磁性原子上实现了存储一个比特的突破性研究，据称该技术可以实现每立方厘米 2.5 x 10^25 bit 的数据密度。这篇文章发表在《Nature》杂志上，文章题目为 "A single-atom magnetic memory"，发表时间为 2017 年。这项技术仍处于实验室阶段，还需要进一步的研究和开发才能应用于实际生产。
C. 理论上的最大数据密度可以追溯到量子力学和热力学等领域的理论研究，具体数值的论文或者报道比较多。这里我们可以参考一篇发表在《Scientific American》杂志上的文章，题目为 "The Ultimate Memory: How to Create the Human Memory Chip"，作者为 R. Colin Johnson，发表时间为 2012 年。
"A single-atom magnetic memory" 是一篇发表在《Nature》杂志上的文章，由 IBM 研究人员撰写。这篇文章报道了一项研究成果，即在单个磁性原子上实现了存储一个比特的突破性研究。
该研究采用了扫描隧道显微镜和自旋极化力显微镜等先进技术，将一个单个铁原子放置在铜表面上，并使用自旋极化力显微镜来控制和读取铁原子的自旋状态。研究人员通过改变磁场的方向来控制铁原子的自旋状态，从而实现了在单个原子上存储一个比特的信息。
这项研究的突破意义在于，它打破了传统存储器的制约，通过单个原子实现比特级别的存储。这种存储方式具有非常高的存储密度和稳定性，可以为未来的存储器技术提供新的思路和途径。不过，这项技术仍处于实验室阶段，还需要进一步的研究和开发才能应用于实际生产。
"The Ultimate Memory: How to Create the Human Memory Chip" 是一篇发表在《Scientific American》杂志上的文章，作者是 R. Colin Johnson。这篇文章提出了一种新型的计算机存储器，称之为“人类记忆芯片”（Human Memory Chip）。这种存储器的设计灵感来源于人类大脑的神经元网络，能够模拟人脑的信息处理方式和记忆机制。
该存储器的基本单元是一个人造的神经元，每个神经元由一个光学或电子器件构成，能够模拟人脑神经元的兴奋和抑制状态。这些神经元通过光或电信号连接起来，形成一个三维的神经元网络，可以存储和处理信息。据作者估计，这种存储器的存储密度可以达到每立方厘米 1.53 x 10^67 bit 左右，远远超过当前任何存储器的存储密度。
尽管这种存储器的设计非常有前途，但是要实现它还需要克服很多技术难题，例如制造光学或电子器件、构建三维神经元网络、设计信号传输和控制系统等。目前，这种存储器仍然处于理论和实验阶段，尚未应用于实际生产和商业化。
